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Semiconducteurs
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Diode de redressement 10A10
Diode de Redressement Axial en Silicium usage générale MIC 10A10
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Diode de redressement...
Serie de Diodes de redressement en silicium 1N4001...4007
Diode signal 1N4148
Diode signal de commutation rapide 1N4148 / 1N914
Diode de redressement...
Serie de Diodes de redressement en silicium 1N5404...5408
Transistor MOSFET 20N60S5
Transistor MOSFET, canal N, 20 A 600 V TO-247 20N60S5
Transistor Bipolaire 2N1711
Transistor Bipolaire 2N1711
Transistor Bipolaire 2N2222A
Transistor Bipolaire 2N2222A
Transistor Bipolaire 2N3055
Transistor Bipolaire 2N3055
Transistor MOSFET 2N7000
MOSFET de puissance STripFET SOT23-3L / TO-92 canal N 60 V - 1,8 ohm - 0,35 A 2N7000
Circuit Intégré 2QR2280Z
Contrôleur PWM quasi-résonant SMPS hors ligne avec CoolMOS 800 V intégré et cellule de...
Transistor MOSFET 2SK1938 /...
Transistor à effet de champ à canal N en silicium de type MOS (-MOSII.5) 2SK1930
Transistor MOSFET...
Transistor MOSFET à canal N isc 16A 600V TO-3PML 2SK1941
Pont Redresseur Monophasé 2W04
Pont Redresseur Cylindrique Monophasé au Silicium 2A 400V 2W04
Amplificateur Opérationnel...
Le circuit intégré NJM4558/4559 est un double amplificateur opérationnel à gain élevé...
Transistor IGBT 50JR22
Transistor bipolaire à grille isolée TOSHIBA IGBT à canal N en silicium 50JR22
