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Triac TIC226D

Triac TIC226D

   SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR 12A 400V TIC226D

Caractéristiques Générales 

Type : Triac

Tension maximale de crête répétitive et à l'état bloqué (VDRM) : 700 V

Courant maximal efficace à l'état passant (IT(RMS)) : 12 A

Courant de crête de surtension non répétitif à l'état passant (ITSM) : 100 A

Taux critique de montée répétitif du courant à l'état passant (dI/dt) : 100 A/µs

Taux critique de montée de la tension à l'état bloqué (dV/dt) : 400 V/µs

Plage de températures de fonctionnement et de stockage maximales (Tstg, Tj) : -40..110 °C

Résistance thermique jonction-ambiante (RTH(j-a)) : 62,5 K/W

Résistance thermique jonction-boîtier (RTH(j-c)) : 2 K/W

Tension de grille de déclenchement (VGT) : 0,8 V

Chute de tension de crête à l'état passant (VTM) : 1,4 V

Courant de grille de déclenchement (IGT) : 19 mA

Courant de maintien (IH) : 22 mA

TIC226D

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