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Transistor Bipolaire BD245C

Transistor Bipolaire BD245C

Transistor de puissance NPN en silicium isc BD245C

Complément au type BD246C

Caractéristiques Générales 

Désignation du type : BD245C

Matériau du transistor : Si

Polarité : NPN

Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 80 W

Tension maximale collecteur-base |Vcb| : 115 V

Tension maximale collecteur-émetteur |Vce| : 100 V

Tension maximale émetteur-base |Veb| : 5 V

Courant maximal du collecteur |Ic max| : 15 A

Température de jonction de fonctionnement max. (Tj) : 150 °C

Fréquence de transition (ft) : 3 MHz

Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 30

Facteur de bruit, dB : -

Boîtier : TO218

BD245C

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