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Transistor Bipolaire BD245C
Transistor de puissance NPN en silicium isc BD245C
Complément au type BD246C
Caractéristiques Générales
Désignation du type : BD245C
Matériau du transistor : Si
Polarité : NPN
Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 80 W
Tension maximale collecteur-base |Vcb| : 115 V
Tension maximale collecteur-émetteur |Vce| : 100 V
Tension maximale émetteur-base |Veb| : 5 V
Courant maximal du collecteur |Ic max| : 15 A
Température de jonction de fonctionnement max. (Tj) : 150 °C
Fréquence de transition (ft) : 3 MHz
Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 30
Facteur de bruit, dB : -
Boîtier : TO218
BD245C