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Transistor Bipolaire MJE340 / MJE350

Transistor Bipolaire MJE340 / MJE350

Transistors de puissance complémentaires au silicium NPN - PNP  MJE340 / MJE350

Caractéristiques Générales 

Désignation du type : MJE340

Matériau du transistor : Si

Polarité : NPN

Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 20 W

Tension maximale collecteur-base |Vcb| : 300 V

Tension maximale collecteur-émetteur |Vce| : 300 V

Tension maximale émetteur-base |Veb| : 3 V

Courant maximal du collecteur |Ic max| : 0,5 A

Température de jonction de fonctionnement max. (Tj) : 150 °C

Fréquence de transition (ft) : 10 MHz

Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 30

Facteur de bruit, dB : -

Boîtier : TO126

Désignation du type : MJE350

Matériau du transistor : Si

Polarité : PNP

Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 20 W

Tension maximale collecteur-émetteur |Vce| : 300 V

Tension maximale émetteur-base |Veb| : 3 V

Courant maximal du collecteur |Ic max| : 0,5 A

Température de jonction de fonctionnement maximale (Tj) : 150 °C

Fréquence de transition (ft) : 4 MHz

Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 30

Facteur de bruit, dB : -

Boîtier : TO126

MJE340 / MJE350

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