Transistor Bipolaire MJE340 / MJE350
Transistors de puissance complémentaires au silicium NPN - PNP MJE340 / MJE350
Caractéristiques Générales
Désignation du type : MJE340
Matériau du transistor : Si
Polarité : NPN
Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 20 W
Tension maximale collecteur-base |Vcb| : 300 V
Tension maximale collecteur-émetteur |Vce| : 300 V
Tension maximale émetteur-base |Veb| : 3 V
Courant maximal du collecteur |Ic max| : 0,5 A
Température de jonction de fonctionnement max. (Tj) : 150 °C
Fréquence de transition (ft) : 10 MHz
Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 30
Facteur de bruit, dB : -
Boîtier : TO126
Désignation du type : MJE350
Matériau du transistor : Si
Polarité : PNP
Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 20 W
Tension maximale collecteur-émetteur |Vce| : 300 V
Tension maximale émetteur-base |Veb| : 3 V
Courant maximal du collecteur |Ic max| : 0,5 A
Température de jonction de fonctionnement maximale (Tj) : 150 °C
Fréquence de transition (ft) : 4 MHz
Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 30
Facteur de bruit, dB : -
Boîtier : TO126