
• Transistors MOSFET à mode d'amélioration (IDD≅0 à VDD=12,5 V, VGG=0 V)
• Pout>40 W, ηT>50 % à VDD=12,5 V, VGG=5 V, Pin=50 mW
• Courant de commande à faible puissance IGG=1 mA (typ) à VGG=5 V
• Taille du module : 66 x 21 x 9,88 mm
• Un fonctionnement linéaire est possible en réglant le courant de drain de repos avec
la tension de grille et en contrôlant la puissance de sortie avec la puissance d'entrée