Circuit Intégré NCE4688

Description

Le NCE4688 utilise une technologie de tranchée avancée pour fournir un excellent RDS(ON) et une faible charge de grille. Les MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former un commutateur côté haut à niveau décalé et pour une multitude d'autres applications.

Caractéristiques générales

●N-ChannelVDS = 60V,ID = 6.3A RDS(ON) < 30mΩ @ VGS=10V

●P-ChannelVDS = -60V,ID = -5A RDS(ON) < 80mΩ @ VGS=-10V

● Capacité de gestion de puissance et de courant élevée

● Produit sans plomb acquis

● Boîtier de montage en surface