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Transistor IGBT IRG4PC50UD

Transistor IGBT IRG4PC50UD

TRANSISTOR BIPOLAIRE À PORTE ISOLÉE AVEC DIODE À RÉCUPÉRATION DOUCE ULTRA-RAPIDE IGBT IRG4PC50U

Caractéristiques Générales 

Paquet/Boîtier : TO-247-3

Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 600 V

Tension de saturation collecteur-émetteur : 2 V

Tension grille-émetteur maximale : – 20 V, + 20 V

Courant collecteur continu à 25 °C : 55 A

Pd – Dissipation de puissance : 200 W

Température de fonctionnement minimale : – 55 °C

IRG4PC50UD

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