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Transistor IGBT IRG4PC50UD
TRANSISTOR BIPOLAIRE À PORTE ISOLÉE AVEC DIODE À RÉCUPÉRATION DOUCE ULTRA-RAPIDE IGBT IRG4PC50U
Caractéristiques Générales
Paquet/Boîtier : TO-247-3
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 2 V
Tension grille-émetteur maximale : – 20 V, + 20 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 55 A
Pd – Dissipation de puissance : 200 W
Température de fonctionnement minimale : – 55 °C
IRG4PC50UD