Transistor IGBT IRGP4063D

Caractéristique Générales

Type : IGBT + diode antiparallèle

Type de canal IGBT : N

Dissipation de puissance maximale (Pc), W : 330

Tension collecteur-émetteur maximale |Vce|, V : 600

Tension grille-émetteur maximale |Vge|, V : 20

Courant collecteur maximal |Ic| à 25℃, A : 96

Tension de saturation collecteur-émetteur |VCE(sat)|, typ., V : 1,65

Tension seuil G-E maximale |VGE(th)|, V : 6,5

Température de jonction maximale (Tj), ℃ : 175

Temps de montée (tr), typ., nS : 40

Capacité du collecteur (Cc), typ., pF : 245

Charge grille totale (Qg), typ., nC : 95

Boîtier : TO247