Transistor IGBT FGH40T120SMD

Caractéristiques Générales 

Désignateur de type : FGH40T120SMD

Type : IGBT + diode antiparallèle

Type de canal IGBT : N

Dissipation de puissance maximale (Pc), W : 555

Tension collecteur-émetteur maximale |Vce|, V : 1 200

Tension grille-émetteur maximale |Vge|, V : 25

Courant collecteur maximal |Ic| à 25 ℃, A : 80

Tension de saturation collecteur-émetteur |VCE(sat)|, typ., V : 1,8

Tension seuil G-E maximale |VGE(th)|, V : 7,5

Température de jonction maximale (Tj), ℃ : 175

Temps de montée (tr), typ., nS : 47

Capacité du collecteur (Cc), typ., pF : 180

Charge grille totale (Qg), typ., nC : 370

Boîtier : TO247