Transistor IGBT FGH60T65SHD

Caractéristiques Générales 

Type : IGBT + diode antiparallèle

Type de canal IGBT : N

Dissipation de puissance maximale (Pc), W : 349

Tension collecteur-émetteur maximale |Vce|, V : 650

Tension grille-émetteur maximale |Vge|, V : 20

Courant collecteur maximal |Ic| à 25℃, A : 120

Tension de saturation collecteur-émetteur |VCE(sat)|, typ., V : 1,6

Tension seuil G-E maximale |VGE(th)|, V : 7,5

Température de jonction maximale (Tj), ℃ : 175

Temps de montée (tr), typ., nS : 48

Capacité du collecteur (Cc), typ., pF : 110

Charge grille totale (Qg), typ., nC : 102

Boîtier : TO247