Transistor IGBT FGH30S130P

Caractéristiques Générales

Type : IGBT + diode antiparallèle

Type de canal IGBT : N

Dissipation de puissance maximale (Pc), W : 500

Tension collecteur-émetteur maximale |Vce|, V : 1300

Tension grille-émetteur maximale |Vge|, V : 25

Courant collecteur maximal |Ic| à 25℃, A : 60

Tension de saturation collecteur-émetteur |VCE(sat)|, typ., V : 2,3

Tension seuil G-E maximale |VGE(th)|, V : 7,5

Température de jonction maximale (Tj), ℃ : 175

Temps de montée (tr), typ., nS : 360

Capacité du collecteur (Cc), typ., pF : 75

Charge de grille totale (Qg), typ., nC : 78

Boîtier : TO-247