Transistor IGBT FGH40N60UFD/ G40N60UFD

Caractéristiques Générales 

Type de canal IGBT : N

Dissipation de puissance maximale (Pc), W : 290

Tension collecteur-émetteur maximale |Vce|, V : 600

Tension grille-émetteur maximale |Vge|, V : 20

Courant collecteur maximal |Ic| à 25℃, A : 80

Tension de saturation collecteur-émetteur |VCE(sat)|, typ., V : 1,8

Tension de seuil G-E maximale |VGE(th)|, V : 6,5

Température de jonction maximale (Tj), ℃ : 150

Temps de montée (tr), typ., nS : 44

Capacité du collecteur (Cc), typ., pF : 200

Charge de grille totale (Qg), typ., nC : 120

Boîtier : TO247