Transistor IGBT G30N60HS

Caractéristiques Générales 

Type : IGBT

Code de marquage : G30N60HS

Type de canal IGBT : N

Dissipation de puissance maximale (Pc), W : 250

Tension collecteur-émetteur maximale |Vce|, V : 600

Tension grille-émetteur maximale |Vge|, V : 20

Courant collecteur maximal |Ic| à 25℃, A : 41

Tension de saturation collecteur-émetteur |VCE(sat)|, typ., V : 2,8

Tension seuil G-E maximale |VGE(th)|, V : 5

Température de jonction maximale (Tj), ℃ : 150

Temps de montée (tr), typ., nS : 21

Capacité du collecteur (Cc), typ., pF : 150

Charge grille totale (Qg), typ., nC : 141

Boîtier : TO220 / TO247