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Transistor IGBT G15T60

Transistor IGBT G15T60

TRANSISTOR BIPOLAIRE À PORTE ISOLÉE à faible perte IGBT G15T60

Caractéristiques Générales 

Paquet/Boîtier : TO-220-3

Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 600 V

Tension de saturation collecteur-émetteur : 1.5 V

Tension grille-émetteur maximale : – 20 V, + 20 V

Courant collecteur continu à 25 °C : 15 A

Pd – Dissipation de puissance : 130 W

Température de fonctionnement minimale : – 55 °C

G15T60

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