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Transistor IGBT G15T60
TRANSISTOR BIPOLAIRE À PORTE ISOLÉE à faible perte IGBT G15T60
Caractéristiques Générales
Paquet/Boîtier : TO-220-3
Tension collecteur-émetteur VCEO max. : 600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1.5 V
Tension grille-émetteur maximale : – 20 V, + 20 V
Courant collecteur continu à 25 °C : 15 A
Pd – Dissipation de puissance : 130 W
Température de fonctionnement minimale : – 55 °C
G15T60