Transistor IGBT GT60M303

Caractéristiques Générales

Type : IGBT + diode antiparallèle

Type de canal IGBT : N

Dissipation de puissance maximale (Pc), W : 170

Tension collecteur-émetteur maximale |Vce|, V : 900

Tension grille-émetteur maximale |Vge|, V : 25

Courant collecteur maximal |Ic| à 25℃, A : 60

Tension de saturation collecteur-émetteur |VCE(sat)|, typ., V : 2,1

Température de jonction maximale (Tj), ℃ : 150

Temps de montée (tr), typ., nS : 350

Boîtier : TO264