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Transistor IGBT 50JR22
Transistor bipolaire à grille isolée TOSHIBA IGBT à canal N en silicium 50JR22
Caractéristiques Générales
Type de canal IGBT : N
Dissipation de puissance maximale (Pc), W : 230
Tension collecteur-émetteur maximale |Vce|, V : 600
Tension grille-émetteur maximale |Vge|, V : 25
Courant collecteur maximal |Ic| à 25℃, A : 50
Tension de saturation collecteur-émetteur |VCE(sat)|, typ., V : 1,55
Tension de seuil G-E maximale |VGE(th)|, V : 7,5
Température de jonction maximale (Tj), ℃ : 175
Temps de montée (tr), typ., nS : 180
Boîtier : TO-3PN
50JR22