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Transistor IGBT 50JR22

Transistor IGBT 50JR22

Transistor bipolaire à grille isolée TOSHIBA IGBT à canal N en silicium 50JR22

Caractéristiques Générales

Type de canal IGBT : N

Dissipation de puissance maximale (Pc), W : 230

Tension collecteur-émetteur maximale |Vce|, V : 600

Tension grille-émetteur maximale |Vge|, V : 25

Courant collecteur maximal |Ic| à 25℃, A : 50

Tension de saturation collecteur-émetteur |VCE(sat)|, typ., V : 1,55

Tension de seuil G-E maximale |VGE(th)|, V : 7,5

Température de jonction maximale (Tj), ℃ : 175

Temps de montée (tr), typ., nS : 180

Boîtier : TO-3PN

50JR22

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