Transistor IGBT FGA25N120ANTD

Caractéristiques Générales 

Type : IGBT + diode antiparallèle

Type de canal IGBT : N

Dissipation de puissance maximale (Pc), W : 312

Tension collecteur-émetteur maximale |Vce|, V : 1200

Tension grille-émetteur maximale |Vge|, V : 20

Courant collecteur maximal |Ic| à 25℃, A : 50

Tension de saturation collecteur-émetteur |VCE(sat)|, typ., V : 2

Tension seuil G-E maximale |VGE(th)|, V : 7,5

Température de jonction maximale (Tj), ℃ : 150

Temps de montée (tr), typ., nS : 60

Capacité du collecteur (Cc), typ., pF : 130

Charge grille totale (Qg), typ., nC : 200

Boîtier : TO3P