Transistor Mosfet FQPF20N60

Caractéristique Générale

Désignateur de type : FQPF20N60

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 50 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 600 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 30 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 4,5 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 20 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Qgⓘ - Charge totale de grille : 61 nC

trⓘ - Temps de montée : 125 nS

Cossⓘ - Capacité de sortie : 273 pF

Rdsⓘ - Résistance drain-source maximale à l'état passant : 0,37 Ohm

Boîtier : TO220F