Transistor MOSFET 20N60S5

Caractéristiques Générales 

Désignateur de type : SPP20N60S5

Code de marquage : 20N60S5

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 208 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 600 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 20 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 5,5 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 20 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Qgⓘ - Charge totale de grille : 79 nC

trⓘ - Temps de montée : 25 nS

Cossⓘ - Capacité de sortie : 1 170 pF

Rdsⓘ - Résistance drain-source maximale à l'état passant : 0,19 Ohm

Paquet: TO220