Transistor MOSFET FQA62N25C

Caractéristiques Générales

Désignateur de type : FQA62N25C

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 298 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 250 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 30 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 4 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 62 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Qgⓘ - Charge de grille totale : 100 nC

Rdsⓘ - Résistance drain-source à l'état passant maximale : 0,035 Ohm

Boîtier : TO3PN