Transistor Mosfet BS170

Caractéristiques Générales 

Désignateur de type : BS170

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 0,83 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 60 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 20 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 3 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 0,5 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Rdsⓘ - Résistance drain-source à l'état passant maximale : 5 Ohm

Boîtier : TO92