Transistor MOSFET STW26NM60 / W26NM60

Caractéristiques Générales 

Désignateur de type : STW26NM60

Code de marquage : W26NM60

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 313 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 600 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 30 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 5 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 30 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Qgⓘ - Charge totale de grille : 73 nC

trⓘ - Temps de montée : 22 nS

Cossⓘ - Capacité de sortie : 900 pF

Rdsⓘ - Résistance drain-source maximale à l'état passant : 0,135 Ohm

Boîtier : TO-247