Transistor MOSFET STP20NM60FP

Caractéristiques générales 

Désignateur de type : STP20NM60FP

Code de marquage : P20NM60FP

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 45 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 600 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 30 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 5 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 20 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Qgⓘ - Charge totale de grille : 39 nC

trⓘ - Temps de montée : 20 nS

Cossⓘ - Capacité de sortie : 350 pF

Rdsⓘ - Résistance drain-source maximale à l'état passant : 0,29 Ohm

Boîtier : TO220FP