Bannière de gauche

Transistor MOSFET 2SK1938 / K1938

Transistor MOSFET 2SK1938 / K1938

Transistor à effet de champ à canal N en silicium de type MOS (-MOSII.5) 2SK1930

Caractéristiques Générales

Désignateur de type : 2SK1938

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 100 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 500 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 30 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 3,5 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 18 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

trⓘ - Temps de montée : 80 nS

Cossⓘ - Capacité de sortie : 340 pF

Rdsⓘ - Résistance drain-source maximale à l'état passant : 0,35 Ohm

Boîtier : TO-3PML

2SK1938

46 autres produits de la même catégorie :