Transistor MOSFET IRF640

Caractéristiques Générales 

Désignateur de type : IRF640

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 125 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 200 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 20 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 4 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 18 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Qgⓘ - Charge totale de grille : 36 nC

trⓘ - Temps de montée : 60 (max) nS

Cossⓘ - Capacité de sortie : 750 (max) pF

Rdsⓘ - Résistance drain-source maximale à l'état passant : 0,18 Ohm

Boîtier : TO220AB