Transistor Mosfet IRF740

Caractéristiques Générales

Désignateur de type : IRF740

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 125 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 400 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 20 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 4 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 10 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Qgⓘ - Charge totale de grille : 63(max) nC

trⓘ - Temps de montée : 27 nS

Cossⓘ - Capacité de sortie : 330 pF

Rdsⓘ - Résistance drain-source maximale à l'état passant : 0,55 Ohm

Boîtier : TO220AB