Transistor MOSFET FQA24N60

Caractéristiques Générales 

Désignateur de type : FQA24N60

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 310 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 600 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 30 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 5 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 23,5 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Qgⓘ - Charge de grille totale : 110 nC

Rdsⓘ - Résistance drain-source à l'état passant maximale : 0,24 Ohm

Boîtier : TO3PN