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Designation de type : IRFR2905Z
Type de transistor : MOSFET
Polarité : N
Pdⓘ - Puissance maximale dissipée : 110 W
|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale admissible : 55 V
|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale autorisée : 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Tension d'activation du seuil : 4 V
|Id|ⓘ - Courant de drain CC maximal admissible : 59 A
Tjⓘ - Température maximale du canal : 175 °C
Qgⓘ - Charge totale de l'obturateur : 29 nC
trⓘ - Temps de montée : 66 ns
Cossⓘ - Capacité de sortie : 240 pf
Rdsⓘ - Résistance drain-source du transistor ouvert : 0,0145 Ohm
Type de boîtier : DPAK