Transistor MOSFET FSW25N50A

Caractéristiques générales 

Désignateur de type : FSW25N50A

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 230 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 500 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 30 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 4 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 25 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Qgⓘ - Charge totale de grille : 96 nC

trⓘ - Temps de montée : 117 nS

Cossⓘ - Capacité de sortie : 410 pF

Rdsⓘ - Résistance drain-source maximale à l'état passant : 0,26 Ohm

Boîtier : TO3PN