Transistor MOSFET FDA59N25

Caractéristiques Générales 

Désignateur de type : FDA59N25

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 392 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 250 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 30 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 5 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 59 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Qgⓘ - Charge de grille totale : 63 nC

Rdsⓘ - Résistance drain-source à l'état passant maximale : 0,049 Ohm

Boîtier : TO3PN