Transistor MOSFET 2N7000

Caractéristiques Générales 

Désignateur de type : 2N7000

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de commande : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 1 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 60 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 18 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 3 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 0,35 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 150 °C

Qgⓘ - Charge totale de grille : 1,4 nC

trⓘ - Temps de montée : 15 nS

Cossⓘ - Capacité de sortie : 20 pF

Rdsⓘ - Résistance drain-source maximale à l'état passant : 5 ohms

Boîtier : TO92