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Transistor MOSFET IRL3705ZS

Transistor MOSFET IRL3705ZS

Transistor à effet de champ de puissance MOSFET HEXFET POWER, 75 A I(D), 55 V, 0,008 ohm,  canal N, silicium, semi-conducteur à oxyde métallique FET, TO-263AB L3705ZS

Caractéristiques Générales 

Désignateur de type : AUIRL3705ZS

Code de marquage : AUL3705ZS

Type de transistor : MOSFET

Type de canal de contrôle : canal N

Pdⓘ - Dissipation de puissance maximale : 130 W

|Vds|ⓘ - Tension drain-source maximale : 55 V

|Vgs|ⓘ - Tension grille-source maximale : 16 V

|Vgs(th)|ⓘ - Tension seuil grille maximale : 3 V

|Id|ⓘ - Courant de drain maximal : 86 A

Tjⓘ - Température de jonction maximale : 175 °C

Qgⓘ - Charge totale de grille : 40 nC

trⓘ - Temps de montée : 240 nS

Cossⓘ - Capacité de sortie : 420 pF

Rdsⓘ - Résistance drain-source maximale à l'état passant : 0,008 Ohm

Boîtier : TO263

L3705ZS

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